Gli smartphone top di gamma si stanno preparando ad accogliere una memoria estremamente più compatta e veloce rispetto a prima. È infatti stato presentato il più piccolo chip di memoria UFS 4.0 mai realizzato da Micron. L’azienda, leader nel settore, ha confermato essere un capolavoro della tecnologia portatile non solo per via delle dimensioni ma anche delle prestazioni. Ecco i dettagli.
Tutti i dettagli della memoria UFS 4.0 di Micron
Questa non è una tecnologia nuova: già nel 2022 Samsung presentò la sua memoria UFS 4.0. Tuttavia, quello che contraddistingue la novità di Micron sono le dimensioni e le performance. Stando ai dati divulgati dall’azienda, le dimensioni sono ridotte del 20% rispetto al modello precedente. Grazie alle sue misure di soli 9×13 mm, i progettisti ora hanno la possibilità di lasciare più spazio all’interno dei dispositivi per altri componenti essenziali, come una batteria di maggior capacità, migliorando così l’autonomia senza sacrificare le performance.
Nonostante la sua compattezza, il la memoria UFS 4.0 di Micron non scende a compromessi in termini di capacità di memorizzazione e velocità. Disponibile in configurazioni da 256 GB, 512 GB e fino a 1 TB, offre velocità di lettura e scrittura sequenziale che toccano rispettivamente i 4300 MB/s e i 4000 MB/s. Un vero e proprio balzo in avanti se consideriamo l’importanza di avere dispositivi sempre più rapidi e capaci di gestire grandi quantità di dati in brevissimo tempo.
Micron ha integrato nel suo chip una funzionalità brevettata, denominata High-Performance Mode (HPM), che permette di ottimizzare le prestazioni quando lo smartphone è sottoposto a carichi di lavoro intensi. Questa modalità innovativa consente di aumentare la velocità operativa del 25%, garantendo così un’esperienza utente fluida e senza interruzioni anche nelle situazioni più esigenti.
Quello che verrà dopo questa memoria ultra veloce e ultra compatta è presto detto: smartphone più piccoli, batterie più capienti e quindi autonomia maggiore, design migliori vista la compattezza dei dispositivi ed efficienza energetica migliorata data la vicinanza dei transistor.
