Dopo aver introdotto la memoria RAM LPPDR5X, Samsung ha ieri introdotto un nuovo tipo di memoria ma stavolta si tratta di memoria di archiviazione. In sostanza se prima ha portato la RAM alla versione 3.0, oggi ha portato l’hard disk degli smartphone alla versione 4.0. Samsung UFS 4.0 è il nome del nuovo modulo che promette velocità di lettura e scrittura enormi, superiori anche a quelle di Xbox Serie X. Andiamo a vedere i dettagli.
Samsung UFS 4.0 è la nuova memoria per dispositivi mobili che promette velocità di lettura e scrittura enormi. Sui flagship del prossimo anno
Le unità nei moderni smartphone sono già molto veloci, ma, ovviamente, saranno ancora più veloci. E oggi Samsung ha introdotto nominalmente la prossima generazione di memoria flash: UFS 4.0. Nominalmente significa che la memoria ancora non è stata prodotta ma arriverà in tempi brevi, possibilmente con i flagship di prossima generazione. L’azienda ha sviluppato la soluzione di storage UFS (Universal Flash Storage) 4.0 più performante del settore, che ha ricevuto l’approvazione JEDEC.
Lavorando con produttori di smartphone e dispositivi di consumo in tutto il mondo, afferma di star lavorando attivamente per costruire un ecosistema per UFS 4.0 per guidare il mercato delle soluzioni di archiviazione mobile ad alte prestazioni. UFS 4.0 offre velocità fino a 23.2 Gbps per corsia, il doppio di UFS 3.1. Di conseguenza, grazie alla memoria V-NAND di settima generazione migliorata e al controller proprietario, la nuova memoria fornisce velocità di lettura sequenziale fino a 4200 MB/s e velocità di scrittura fino a 2800 MB/s. Questo è più veloce dell’SSD di Xbox Series X, anche se è molto inferiore all’unità di PlayStation 5.
Samsung parla anche di miglioramento dell’efficienza energetica. La nuova memoria offre 6 MB/s a 1 mA, un miglioramento del 46% rispetto a UFS 3.1. Inoltre, l’azienda parla della compattezza della soluzione. Le dimensioni del chip saranno 11 x 13 x 1 mm e la capacità raggiungerà 1 TB. La produzione della memoria UFS 4.0 inizierà nel terzo trimestre di quest’anno. Ciò significa che la prossima generazione di smartphone di punta sarà già in grado di utilizzare tale memoria.
